Kits de memoria / Comparison

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 vs Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11

RAM · G.Skill

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8

2×2 GB · DDR3 · 1333 MHz · CL8
NOTA DEL PRODUCTO 31.0 / 100Gama de entrada
Capacidad15
Velocidad12
Latencia75
Generación25
VS
RAM · Samsung

Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11

1×2 GB · DDR3 · 1600 MHz · CL11
NOTA DEL PRODUCTO 30.0 / 100Gama de entrada
Capacidad15
Velocidad18
Latencia64
Generación25
Veredicto

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 y Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11 van parejos en especificaciones: notas del producto 31 y 30.

  • Capacidad total: G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 va por delante (4 GB frente a 2 GB).
  • Velocidad: Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11 va por delante (1,600 MHz frente a 1,333 MHz).
  • Latencia CAS: G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 va por delante (CL8 frente a CL11).
  • G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 tiene menor latencia real (12.0 ns frente a 13.8 ns; velocidad y CL juntos).
Elige este

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8

Si lo que más te importa es total capacity, cAS latency, true latency.

Elige este

Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11

Si lo que más te importa es velocidad.

Comparación especificación por especificación

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11
31Nota del producto30
DDR3TipoDDR3
4 GBCapacidad total2 GB
2×2 GBKit1×2 GB
1,333 MHzVelocidad1,600 MHz
CL8Latencia CASCL11

La nota del producto se calcula solo a partir de las especificaciones (p. ej., en un ratón: peso, sensor, tasa de sondeo, conexión y año de lanzamiento). No es una prueba de laboratorio y no mide preferencias personales como la forma o el agarre.

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Preguntas frecuentes

¿G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 o Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11: cuál es mejor?

G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 y Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11 van parejos en especificaciones: notas del producto 31 y 30. Total capacity: G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 leads (4 GB vs 2 GB). Speed: Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11 leads (1,600 MHz vs 1,333 MHz). CAS latency: G.Skill F3-10666CL8D-4GBHK 4GB (2x2GB) DDR3 1333 CL8 leads (CL8 vs CL11).

¿Cuál es más rápido?

Speed: Samsung MV-3V2G3/US 2GB (1x2GB) DDR3 1600 CL11 va por delante (1,600 MHz frente a 1,333 MHz).