Kits de memória / Comparison

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 vs Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9

RAM · Samsung

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19

1×4 GB · DDR4 · 2666 MHz · CL19
NOTA DO PRODUTO 43.0 / 100Médio
Capacidade15
Velocidade46
Latência60
Geração62
VS
RAM · Silicon

Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9

2×4 GB · DDR3 · 1866 MHz · CL9
NOTA DO PRODUTO 44.0 / 100Médio
Capacidade35
Velocidade23
Latência92
Geração25
Veredito

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 e Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 estão empatados nas especificações: notas do produto 43 e 44.

  • Capacidade total: Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 está à frente (8 GB contra 4 GB).
  • Velocidade: Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 está à frente (2,666 MHz contra 1,866 MHz).
  • Latência CAS: Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 está à frente (CL9 contra CL19).
  • Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 tem latência real menor (9.6 ns contra 14.3 ns; velocidade e CL juntos).
Escolha este

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19

Se o que mais importa para você é velocidade.

Escolha este

Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9

Se o que mais importa para você é total capacity, cAS latency, true latency.

Comparação especificação por especificação

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9
43Nota do produto44
DDR4TipoDDR3
4 GBCapacidade total8 GB
1×4 GBKit2×4 GB
2,666 MHzVelocidade1,866 MHz
CL19Latência CASCL9

A nota do produto é calculada só a partir das especificações (ex.: para um mouse: peso, sensor, taxa de polling, conexão e ano de lançamento). Não é um teste de laboratório e não mede preferências pessoais como formato ou pegada.

Grátis · sem instalação

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Perguntas frequentes

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 ou Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9: qual é melhor?

Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 e Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 estão empatados nas especificações: notas do produto 43 e 44. Total capacity: Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 leads (8 GB vs 4 GB). Speed: Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 leads (2,666 MHz vs 1,866 MHz). CAS latency: Silicon Power SP008GXLYU18ANDA 8GB (2x4GB) DDR3 1866 CL9 leads (CL9 vs CL19).

Qual é mais rápido?

Speed: Samsung Standard 4GB (1x4GB) DDR4 2666 CL19 está à frente (2,666 MHz contra 1,866 MHz).