Kits de memória / Comparison

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17 vs Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11

RAM · Samsung

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17

1×8 GB · DDR4 · 2400 MHz · CL17
NOTA DO PRODUTO 47.0 / 100Médio
Capacidade35
Velocidade40
Latência61
Geração62
VS
RAM · Silicon

Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11

2×4 GB · DDR3 · 2400 MHz · CL11
NOTA DO PRODUTO 48.0 / 100Médio
Capacidade35
Velocidade32
Latência96
Geração25
Veredito

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17 e Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 estão empatados nas especificações: notas do produto 47 e 48.

  • Latência CAS: Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 está à frente (CL11 contra CL17).
  • Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 tem latência real menor (9.2 ns contra 14.2 ns; velocidade e CL juntos).
Escolha este

Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11

Se o que mais importa para você é cAS latency, true latency.

Comparação especificação por especificação

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11
47Nota do produto48
DDR4TipoDDR3
8 GBCapacidade total8 GB
1×8 GBKit2×4 GB
2,400 MHzVelocidade2,400 MHz
CL17Latência CASCL11

A nota do produto é calculada só a partir das especificações (ex.: para um mouse: peso, sensor, taxa de polling, conexão e ano de lançamento). Não é um teste de laboratório e não mede preferências pessoais como formato ou pegada.

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Perguntas frequentes

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17 ou Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11: qual é melhor?

Samsung Standard 8GB (1x8GB) DDR4 2400 CL17 e Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 estão empatados nas especificações: notas do produto 47 e 48. CAS latency: Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 leads (CL11 vs CL17). Silicon Power Xpower 8GB (2x4GB) DDR3 2400 CL11 has lower true latency (9.2 ns vs 14.2 ns; speed e CL combined).